A Samsung Electronics TV is displayed at an electronics store in Seoul, Sunday. Yonhap
Samsung Electronics reported a record 37.7 trillion won ($25.6 billion) in research and development spending for 2025, as part of its strategy to secure an early lead in the race to develop next-generation artificial intelligence chips.
The figure marks a 7.8% increase from 2024 and was disclosed in the company’s annual business report.
The investment is aimed at proactively addressing rising demand for AI semiconductors, including high-bandwidth memory (HBM) and high-capacity DDR5 chips.
In addition, the company allocated 52.7 trillion won to facility investments in 2025, surpassing its prior plan by 5 trillion won to support future-generation semiconductor facilities, such as the NRD-K R&D complex at the Giheung campus in Yongin, Gyeonggi province.
The firm indicated ongoing efforts to meet customer demand for sixth-generation HBM4 chips in 2026 and noted the first mass production shipment of HBM4 chips last month, marking a industry first.
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삼성전자는 2025년 연구 개발(R&D)에 37조7천억 원(256억 달러)을 지출했다고 화요일 밝혔다. 이는 차세대 인공지능(AI) 칩의 글로벌 경쟁에서 먼저 우위를 확보하기 위한 구체적 전략의 일환으로, 기록적 투자 규모다.
해당 금액은 전년의 35조 원 대비 7.8% 증가한 수치이며, 회사의 연례 사업 보고서에 명시됐다.
또한 대규모의 자본 지출이 지난해 52조7천억 원으로 전년 대비 5조 원 증가했으며, 이 자금은 차세대 반도체 설비를 구축하는 데 사용됐다. 이는 용인시 기흥 캠퍼스의 NRD-K 반도체 연구 개발 허브를 포함한 시설 투자였다.
삼성전자는 2026년에Sixth-generation HBM4 칩에 대한 고객 수요를 충족하기 위한 지속적인 노력을 이어갈 계획이라고 밝혔다.
또한 회사는 지난달 양산형 HBM4 칩의 첫 번째 물량을 선적했다고 밝히며 업계 최초로 이를 달성한 것으로 간주된다.